Китайские учёные создали флешку с рекордно высокой скоростью записи.

Учёные из Фуданьского университета в Шанхае разработали устройство флеш-памяти PoX. Оно сохраняет данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Это быстрее, чем у существующих энергозависимых устройств памяти, которые сохраняют один бит от 1 до 10 наносекунд. Результаты исследования опубликованы в журнале Nature.